在本期的Science杂志中﹐耶鲁大学应用物理系的Lasfe Spitz与其所属的研究小组﹐则发表了利用测量穿隧接面(tunnel junction)的shot noise﹐达成可以在绝对温度1K的环境下﹐准确测量温度的结果。
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东芝以垂直磁化方式为主技术,另外研发一种0.13微米的自旋穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)电子组件,将担负MRAM的储存功能,利用多重磁性层与绝缘层交迭的积层构造产生穿隧磁电阻(TMR),如...
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东芝以垂直磁化方式为主技术,另外研发一种0.13微米的自旋穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)电子组件,将担负MRAM的储存功能,利用多重磁性层与绝缘层交迭的积层构造产生穿隧磁电阻(TMR),如...
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