半导体表面附近多数载流子浓度大大增高的一个薄层即称为积累层。
JFET区电阻、沟道电阻、积累层电阻和漂移区电阻是导通电阻的四个最主要的组成部分。
JFET resistance, accumulation resistance, channel resistance and drift region resistance is the most important components of on-resistance.
全球变暖是由臭氧层破洞和不断积累的二氧化碳造成的。
Global warming is caused by holes in the ozone layer and the steady buildup of carbon.
但是，甲壳素沉积从来没有积累成海洋或森林有机质层。
But chitin deposits never build up on the sea or forest floor.
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