Magnetoresistive random-access memory
IBM与工研院联合研发新内存技术 借助与工研院的合作，Parkin的理论极有可能成真。原因即在于，工研院电子与光电研究所，从2002年以来即投入磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)的研发。李世光表示，工研院将移转制造和开发MRAM的经验给IBM，IBM则将与硬盘和内存相关的技术转
基于2202个网页-相关网页
原因即在于，工研院电子与光电研究所，从2002年以来即投入磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)的研发。
基于3个网页-相关网页