... silicon epitaxy 硅外延 silicon gate 硅栅极 silicon junction transister 硅面结型晶体管 ...
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本讲内容 外延生长前处理——衬底清洗 硅外延（Epitaxial Si）生长 掺杂引入 外延生长缺陷 GaAs外延生长 金属有机物CVD 分子束外延生长 小结衬底清洁： 目的：去除自然氧化物，残留杂质，颗粒...
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利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。
The thick SOI films were prepared by SIMOX technology and Si epitaxy process.
本发明公开了一种制造硅外延片的方法，即一种重掺砷衬底的硅外延方法。
The invention is concerned with the manufacture method of the silicon epitaxial slice that is the silicon extension method of remixing arsenic substrate.
本文分析了三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型，理论和实验结果吻合。
In this paper, the area contact model of depletion layer width under avalanche breakdown in Si epitaxial wafer by a three-probe method is analysed. The theory accords with experimental results.
所有的“外延生长”大同小异。 在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长。底层通常是由和沉积的半导体同种物质的晶体组成，但也不总是这样。高质量的单晶硅薄膜已经可以在合成蓝宝石或尖晶石wafer上生长了，因为这些物质都有像硅一样可以让晶核生长的晶体结构。合成蓝宝石或尖晶石的成本超过同尺寸的硅wafer太多了，所以大多数外延生长沉积还是在硅底层上生长硅薄膜。 有几种不同的方法来生长外延（epi）层。一种比较粗糙的方法是把熔融的半导体物质注入底层上，经过一段时间后结晶，然后把多于的液体去除。然后wafer的表面可以重新研磨抛光形成外延层。很明显这个liquid-phase epitaxy的缺点是重新研磨的高成本和外延层厚度精确控制的难度。 大多数现代外延沉积使用低压化学气相沉积(LPCVD)外延生长。
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