从技术来看，相变化内存（Phase Change Memory）是拥有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗辐射等多项优点之非挥发内存，采用相变化薄膜作为相变化内存之核心，具有与传...
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英特尔研发“3D cross point”技术，拟推相变化内存（PRAM）。三星电子不甘示弱，发布磁阻式随机存取存储器（MRAM，magnetoresistant random access memory），号称读写速度比 NAND Flash 快...
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相变化内存（Phase Change Memory，PCM）是一项全新的内存技术，目前有多家公司在从事该技术的研发活动。
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