相变内存的英文是“Phase-Change Memory”，简称“PCM”，是一种非易失性的内存产品。 相变内存是下一代内存（闪存）技术，英特尔和IBM各自带领盟友正在展开较量。英特尔公司高层日前表示，其相变内存样品将在今年二季度提供给设备制造商客户。
相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS...
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...越来越不耐用了：MCL NAND闪存再25nm时代还有3000-5000次的编程/擦写循环(P/E)， 旺宏电子的这一成果巧妙地利用了相变内存(PCRAM)的技术，设备连接电源并待机的时候也可以这么做，毕竟宏旺电子并不是一家大企业，用于加热NAND闪存的存储单元，因为它经过一次P/...
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不甘落后 惠普参加SSD阵营 新添加了一层庞杂性。 他认为，结尾 其他非易失性RAM(MVRAM)技能将成长取代NAND技能，其中包含相变内存(Phase-Change RAM，PRAM)、旋转力矩转移随机存取记忆体(Spin Torque Transfer RAM，STT-RAM)以及
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