结果发现:渗银电极与陶瓷样品之间具有很好的欧姆接触特性,两线、四线模式下的电阻测量值相近,并且没有电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应;而用银胶接触作电极时,V-I曲线表现出关于原点对称的非线性特征,并出现稳定的室温EPIR效应.
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相应地，本发明还提供一种制造非易失性电阻转变型存储器的方法。
Accordingly, the invention also provides a method for manufacturing the nonvolatile resistance transformation type memorizer.
本发明提供的具有缓冲层结构的电阻转变型 存储器制造工艺简单、制作成本低并且与传统CMOS工艺兼容。
The resistance transformation type memorizer with a buffer layer structure has simple manufacturing process and low manufacturing cost, and is compatible to the traditional CMOS process.
电渣炉是由溶渣实现电热转变的电阻炉(见电渣重熔)。
Electroslag furnace is made of slag change electric resistance furnace (esr).
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