例如,在MOS绝缘层陷阱参数测量中应用的氧化层电压弛豫谱(OvRs)技术山和氧化层电流弛豫谱(OCRs)技术〔幻,它们的显著特点是:应用差值取样函数的谱峰特性,直接、
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电压弛豫谱
Voltage relaxation spectrum
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