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沟道耗尽型 [gōu dào hào jìn xíng]

网络释义专业释义

  [电子] channel-depletion type

... channel transistor 沟道晶体管 channel-depletion type 沟道耗尽型 channeling diode 沟道(效应)二极管 ...

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短语

沟道耗尽型结 channel depletion mode junction

  • channel depletion type
    channel-depletion type

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新汉英大辞典

沟道耗尽型 [gōu dào hào jìn xíng]

  • channel depletion type
  • 短语:
    • 沟道耗尽型结 channel depletion mode junction
以上来源于:《新汉英大辞典》

双语例句

  • 部分耗尽SOI结构中,SOI中顶层厚度50-90nm,因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据,由此可导致电荷耗尽以下电中性区域中累积,造成所谓的浮体效应。

    In partially depleted SOI, the top layer is between 50- to 90-nm thick. Silicon under the channel is partially depleted of mobile charge.

    youdao

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