... channel to-channel adapter 通道-通道转换开关 channel transistor 沟道晶体管 channel vessel 海峡渡船 ...
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耗尽模N型沟道晶体管 depletion mode N-channel transistor
沟道场效应晶体管 slot field-effect transistor ; p channel fet ; nfet ; pfet
垂直沟道场效应晶体管 vertical channel fet ; vertical fet ; vfet
硅N沟道场效应晶体管 N-FET
短沟道场效应晶体管 short channel fet
锗N沟道场效应晶体管 GE-N-FET
锗P沟道场效应晶体管 GE-P-FET
硅P沟道场效应晶体管 P-FET
多沟道场效应晶体管 MUCH FET multichannel FET
一种半导体器件结构（10），其使用两个半导体层（16&20）以 分别优化N和P沟道晶体管载流子迁移率。
A semiconductor device structure (10) uses two semiconductor layers (16 & 20) to separately optimize N and P channel transistor carrier mobility.
传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。
Conventional transistors use a metal electrode, called the gate, to control the flow of electrons through a planar channel in the silicon substrate.
然后在氧等离子体中用电子束刻蚀法去除沟道区石墨烯形成晶体管的沟道。
They then defined the transistor channel using electron-beam lithography, removing graphene outside of channel regions with an oxygen plasma.
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