氮砷化铟镓 InGaAsN ; GaAsInN
氮化砷
Arsenic nitride
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。
Fujitsu points out that using GaN HEMT technology allows more than 6 times the output power of existing amplifiers using gallium-arsenide (GaAs) transistors.
youdao
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动