...出产工艺出现截止，时间有可能在2023年摆布到阿谁时辰，因为节制电流的形成晶体体管门(transistor gate) 和氧化栅极(gate oxide)间隔将很是切近，是以，将发生电子漂移征象(electrons drift)要是发生这类环境，形成晶体体管会掉去靠患上住性，缘故原由是形成晶...
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采用本发明的方法可大幅提高栅极氧化层的均匀性。
The method of the present invention can greatly increase evenness of the grid oxide layer.
将金属氧化物半导体的栅极构造蚀刻(510)。
A gate structure of the metal oxide semiconductor is etched (510).
栅极多晶硅（14.3）和所述多晶硅瓦 片（14.1和14.2）的角落处是氧化物间隔物（60.1-60.6）。
At the corner of the gate polysilicon (14.3) and the polysilicon tiles (14.1 and 14.2) are oxide spacers (60.1-60.6).
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