但随着器件尺寸的缩减,半导体元件的结面击穿(Junction Breakdown)电压越来越接近于栅极氧化层(Gate Oxide)的击穿电压,所以集成电路的静电放电防护设计方法也越来越困难。
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... gate oxide capacitor 电容 gate oxide degradation 栅极氧化层 gate oxide birthmark 栅氧化层错误错差 ...
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栅极氧化层的完整性 gate oxide integrity
栅极氧化层的完全性 gate oxide candor
栅极氧化层
Grid oxide layer
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采用本发明的方法可大幅提高栅极氧化层的均匀性。
The method of the present invention can greatly increase evenness of the grid oxide layer.
youdao
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