...两种技术 CVD大致是应用在半导体晶膜和氧化层的成长 PVD主要适用于金属接点联机的沉积 (3)分子束磊晶(Molecular Beam Epitoxy，MBE) MBE是近年来最热门的磊晶技术，无论是III-V、II-VI族化合物半导体、Si或者SixGe1...
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...技术 CVD大致是应用在半导体晶膜和氧化层的成长 PVD主要适用于金属接点联机的沉积 (3)分子束磊晶(Molecular Beam Epitoxy，MBE) MBE是近年来最热门的磊晶技术，无论是III-V、II-VI族化合物半导体、Si或者SixGe1...
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...将利用超高真空化学气相沉积法(Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)系统以及化学分子 束磊晶 ( Chemical Beam Epitaxy )系统成长Si/SiGe材料，包括成长Si/SiGe量子井(Quantum Well)及超晶格(Superlattice)等结构元件，并借由SIMS、X-Ray diffraction...
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分子束磊晶 molecular beam epitaxy ; MBE ; molecular-beam
分子束磊晶生长系统 molecular beam epitaxial growth system
分子束磊晶法 Molecular Beam Epitaxy ; MBE
分子束磊晶技术 chemical beam epitaxy growth technique ; techinque chemical beam epitaxy growth
用分子束磊晶 Molecular Beam Epitaxy ; MBE
分子束磊晶成长 Molecular Beam Epitaxy ; MBE
用如分子束磊晶 Molecular Beam Epitaxy ; MBE
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