本征载流子，就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的载流子。
与常温情况相比，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。
It is indicated that the intrinsic carrier concentration increases more rapidly with increasing the doping concentration at low...
本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式，获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。
A accurate expression for the bandgap and a simple formula for the intrinsic carrier concentration at low temperature are presented.
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