抑制性突触后电位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位。突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI 通道开放，引起CI 内流，突触后膜发生超极化。
产生抑制性突触后电位 inhibitory postsynaptic potention ; IPSP
慢抑制性突触后电位 slow inhibitory postsynaptic current
快抑制性突触后电位 fast inhibitory postsynaptic potentials
和快抑制性突触后电位 fast inhibitory postsynaptic potentials ; FIPSPS
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