的光学特性的分子束外延生长周期短Si4Ge5应变层超晶格（SLSS），被使用结空间电荷技术研究。对这些样品的光电电容测量的光谱分布偏离正常平滑的曲线，显示出的结构。
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由于本文方法只需很小的计算量且有较好的精度，对于多层应变层超晶格电子结构的研究将是有效的方法。
The small calculation effort and the satisfactory precision justify the present method as a very effective means for studying the electronic structures of multi-layers SLS.
对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究。
A systematic investigation is made on the influence of the longitudinal and transverse period distributions of quantum dots on the elastic strain field.
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