射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技术。 射频溅射： 用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统， 由于常用的交流电源的频率在射频段（ 5~30MHz ） 所以这种溅射方法称为射频溅射。 射频溅射射频溅射几乎可以用来沉积任何固体材料的薄膜，获得 的薄膜致密、纯度高、与基片附着牢固、建设速率大、 工艺重复性好。常用来沉积各种合金膜、磁性膜以及 其他功能膜。
射频溅射（RF sputtering） 用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅射。
基于220个网页-相关网页
物理气相沉积是多种溅射 技术的通称, 它包括射频溅射 ( radio frequency sputtering) 、直流反应磁控溅射 ( reactively direct current magnetron sputtering , RDCMS) 和粒子束增强沉 积(ion2beam2assisted deposi...
基于210个网页-相关网页
... 磁控溅射;magnetron sputtring 射频溅射;radio frequency splashing 阴极溅射室;cathode sputtering chamber ...
基于1个网页-相关网页
射频溅射法 radio frequency sputtering
射频溅射仪 Randex 2400 seris sputtering systems
射频磁控溅射 RF Magnetron Sputtering ; RFMS ; RF Sputtering ; radio frequency magnetron sputtering
射频磁控溅射法 RF magnetron sputtering ; radio frequency magnetron sputtering method ; RFMS
反应射频磁控溅射系统 Reactive Sputtering System
射频磁控反应溅射 radio frequency magnetron reactive sputtering
The results of XRD showed that the D. C. reactive sputtering ZrN films were mainly amorphous and the radio frequency sputtering ZrN films were mainly crystalline.
X射线衍射分析表明,直流溅射法制备的氮化锆薄膜一般为非晶,而射频溅射法制备的氮化锆薄膜为晶态。
参考来源 - 口腔材料表面氮化锆薄膜制备工艺与性能As following:1) BST thin films were prepared on Pt/SiO2/Si(100) substrates by RF sputtering, then annealed in the different temperature (550℃, 600℃, 650℃, 700℃, 750℃).
研究内容如下:1)用射频溅射在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备250nm左右的BST薄膜,然后对其进行不同温度(550℃、600℃、650℃、700℃、750℃)的常温退火处理。
参考来源 - 氧化物薄膜应力的X射线衍射表征与研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
采用磁控射频溅射法制备光波导用玻璃薄膜。
The glass thin film for optical waveguides is deposited by the magnetron sputtering?
采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性。
Dielectric breakdown of BST thin films prepared by RF sputtering is studied in this paper.
本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。
A1N films grown by low temperature reactive r. f. sputtering are investigated with spectrum analysis.
应用推荐