... bottom of conduction band 导带底 conduction band edge 导带边缘 empty conduction band 好位于价带之上的空导带 ; 刚佳位于价带之上的空导带 ...
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对于大多数多孔硅，过高的退火温度可造成多孔硅的导带和价带边缘的量子漂移的改变。
To most of porous silicon, overhigh annealing temperature can result in quantum-drift change at the edge...
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