利用复晶矽活性离子蚀刻系统(Poly-Si Reactive Ion Etching System, Poly-Si RIE)干蚀刻牺牲 层，以定义出 CMUT 空腔及蚀刻通道的区域。
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离子束蚀刻系统 ion beam etching system ; IBE
离子束刻蚀系统 Ion Beam Etching system
反应离子刻蚀系统 Reactive Ion Etching System
等离子体蚀刻系统 plasma etching system
子蚀刻系统
Sub-etching system
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