所有的芯片都只有一个多晶硅层（polysilicon layer），其余的都是用于为了构成芯片逻辑而作晶体管连接的金属层（metal layer），晶体管只位于多晶硅层。
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... 多晶衬底 polycrystalline substrate 多晶硅层 polycrystalline silicon layer 多晶硅-硅化物栅 polycide gate ...
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TechInsights指出，苹果A4和A5的芯片都是三星采用带9层金属层和一层 多晶硅层 ( poly layer )的45nm制程制造。二者也都使用堆栈的层迭式封装技术。
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多晶硅层间介质体 interpoly dielectric
掺杂多晶硅层表面块状 Surface defect
掺杂多晶硅层表面片状 Slice defect
多硅晶体层 polycrystalline silicon layer ; layer, polycrystalline silicon
双层多晶硅法 two polysilicon approach
双层多晶硅 double level polysilicon ; dual layer polysilicon
双层多晶硅栅金属氧 double poly process
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所述氧化层的部分被移除，以使所述沟槽填充的氧化层作为第一多晶硅层基本平面化。
Portions of the oxide layer are removed to substantially planarize the trench-filled oxide layer as the first polysilicon layer.
第一多晶硅层还包括在其中的空隙。
杂质掺杂多晶硅层设置于两绝缘区与反熔丝上。
An impurity doped polysilicon layer is defined over the two insulator regions and the anti-fuse.
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