多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。 利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
...多晶硅（Polycrystalline silicon）是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
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体寿命和少数载流子的扩散长度的变化通过一个铸造多晶硅（MC-Si）的块的高度。这种变化是由于定向凝固和本机的杂质浓度的增加，从底部到顶部的锭，最后凝固过程中的金属杂质的偏析，而固化的第一...
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高温多晶硅 LTPS ; HTPS ; High Temperature Poly-Silicon ; HTP-Si
低温多晶硅 LTPS ; Low Temperature Poly-silicon ; LTP-Si
低温多晶硅技术 LTPS ; low temperature polysilicon
多晶硅薄膜 poly-Si thin film ; poly-Si ; polycrystalline silicon film
多晶硅栅 [电子] polysilicon gate ; CMOS ; DDPG-MOS FET
多晶硅薄膜晶体管 p-Si TFT ; poly-Si TFT
多晶硅太阳电池 [电] polycrystalline silicon solar cell ; Polycrystalline solar cell
掺杂的多晶硅扩散 doped polysilicon diffusion ; dopos
低温多晶硅显示屏 LTPS
A bipolar based single polysilicon BiCMOS technology is investigated.
介绍了一种单层多晶硅CMOS工艺。
参考来源 - 一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究Then the investigation of polycrystalline silicon thin film have great significance.
因此，对多晶硅薄膜进行研究则具有重大意义。
参考来源 - 低温工艺PECVD法制备多晶硅薄膜研究Then the investigation of polycrystalline silicon thin film have great significance.
因此，对多晶硅薄膜进行研究则具有重大意义。
参考来源 - 低温工艺PECVD法制备多晶硅薄膜研究In multicrystalline silicon,XRD patterns show that the preferred orientations are <111> and <422> which under condition V_1.
取得如下创新成果:坩埚下降速率V_1条件下生长的多晶硅以<111>和<422>方向为择优取向。
参考来源 - 冶金法制备多晶硅的晶体生长及其杂质缺陷研究In the end, the fabrication technology of polysilicon thin film using silane as reacting gas is simply summarized.
最后对用硅烷作反应气体的多晶硅薄膜制备工艺技术进行了简单总结。
参考来源 - LPCVD多晶硅薄膜制备技术·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
所述氧化层的部分被移除，以使所述沟槽填充的氧化层作为第一多晶硅层基本平面化。
Portions of the oxide layer are removed to substantially planarize the trench-filled oxide layer as the first polysilicon layer.
粒状多晶硅是一个非常有用的生产因素。
这有持续性的本质有助于降低多晶硅成本。
That continuous nature helps lower the cost of the polysilicon coming out.
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