平面外延技术 planar epitaxial technique
束外延技术 LMBE
分子束外延技术 Molecular Beam Epitaxy ; MBE
相位外延技术 ISOVPE
面氧化外延技术 Surface Oxidation Epitaxy ; SOE
表面氧化外延技术 Surface Oxidation Epitaxy
和表面氧化外延技术 Surface Oxidation Epitaxy
本文采用固相外延技术 solid phase epitaxy ; SPE
蓝宝石上外延硅技术 silicon on sapphire technology
液相外延生长技术 phase epitaxial growth technique ; ue
现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能。
Modern advanced epitaxial growth technology has made the widely application of SiGe strained layer materials possible.
最后介绍了分子束外延技术在光电子器件方面应用的最新进展。
The recent progress in the applications of the MBE techniques to optoelectronic devices is finally presented.
最近用化学束外延得到的结果表明CBE具有超过MBE和MOCVD的潜力而成为一种非常重要的新的外延技术。
Recent results with CBE show that CBE holds the potential as an important new epitaxial technique that goes beyond both MBE and MOCVD.
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