集极-基极击穿 breakdown, collector-base ; collector base breakdown
集电极-基极击穿 collector-base breakdown
发射极-基极击穿电压 VEBO
基极击穿
Base breakdown
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辐照后基极电流、结漏电流增大，集电极电流、击穿电压减小。
The base current and the junction leakage current increase, while the collector current and the breakdown voltage decrease for SiGe HBTs after radiation.
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