... emitter circuit 射体电路 emitter junction 发射结 emitter follower 发射极输出器(射极跟...
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晶体管有三个极（脚）：发射极（E）、基极（B）、集电极（C）；有两个结：发射结（EBJ）、 集电结（CBJ）；有三个区：发射区、基区、集电区。根据三个区域的不同半导体材料分为 NPN 晶体管及PNP 晶体管。
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在正常工作中，发射结正向偏置，基集电结反向偏置。
In typical operation, the emitter-base junction is forward biased and the base-collector junction is reverse biased.
本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。
An experimental study has been carried out on the doping of polysilicon by ion implantation and diffusion for the preparation of shallow junctions.
温度越高，发射结正向压降v _ (BE)变化相同数值所对应的输入电流i_f的变化越小。
The temperature is higher, the change of input current I_F according to the same change in value of the base-emitter voltage V_ (BE) is smaller.
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