anti-ferroelectric ceramics 主晶相为反铁电体的陶瓷材料。 常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。 具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数,低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃),介电常数峰值2020,居里温度181℃。 采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高,常用刚玉坩埚加盖密封烧成,以防止氧化铅高温挥发,烧成温度:1340℃左右。 用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上,制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉,可有效地防止绝缘边击穿,提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器,以及换能器(实现电能与机械能转换)等。