...电气系统,需要具有低输入电压的带隙基准电路以允许与能量收获和亚阈值数字逻辑电压电平的兼容性。另外,需要使带隙基准电路的电力消耗最小化。技术实现思路在一些实施例中,装置包括带隙基准电路,该带隙基准电路具有第一双极结型晶体管(BJT),可以从具有端子电压的节点接收电流以及可以输出基极发射极电压。
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在这些电子系统中,双极结型晶体管(bipolar junction transistors)依然占据着很重要的地位。双极晶体管在电离辐射环境中出现性能退化,表现为晶体管电流增益下降。
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... Bi-directional Triode Thyristor 双向晶闸管 Bipolar Junction Transistor-- BJT 双极结型晶体管 Boost-Buck Chopper 升降压斩波电路 ...
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双极面结型晶体管 bipolar junction transistor
异质结双极型晶体管 HBT ; heterostructure bipolar transistor ; SiGe HBT
双极结型晶体管阵列 BJT-ARRAY
双异质结双极型晶体管 DHBT
双极结型NPN晶体管 BJT-NPN
双基极结型晶体管 [电子] double-base junction transistor
单异质结双极型晶体管 SHBT
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双极结型晶体管,涉及半导体功率器件技术领域。
A bipolar junction transistor relates to the technical field of a semiconductor power device.
新型双极结型场效应晶体管(BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。
The new bipolar junction field effect transistor (BJFET) has the features of both bipolar and junction field effect devices.
水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。
Lateral channel field-controlled thyristor is a combination of a NJFET and a PNP bipolar transistor.
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