现在一种改 进方法是利用化学汽相沉积（cVD， Chemical Vapor Deposition）等方法在硅模具中沉积碳化 硅，然后再去除硅模具，剩下精确的碳化硅结构。
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高压化学汽相沉积 high-pressure chemical vapor deposition ; pressure chemical vapor deposition
低压化学汽相沉积 low-pressure chemical vapor deposition
化学汽相沉积系统 chemical vapor deposition system
快速热化学汽相沉积 RTCVD
激光化学汽相沉积 LCVD
指化学汽相沉积 CVD
次常压化学汽相沉积 SACVD
热丝化学汽相沉积 Hot Wire Chemical Vapor Deposition
金属有机化学汽相沉积 MOCVD ; Metal-organic Chemical Vapor Deposition
本发明涉及自支撑式电极上金属集电器的物理或化学汽相沉积，例如蒸发。
The invention relates to physical or chemical vapor deposition, such as evaporation, of metal current collector on electrode with self-supporting type.
射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。
Plasma chemical vapor deposition in silane radio frequency glow discharge is a main fabrication technology of hydrogenated amorphous silicon (a-Si: h) films.
本文采用PM3方法，计算了化学汽相沉积金刚石薄膜成核与生长阶段反应势垒。
Using a semi empirical quantum mechanical method (PM3), we calculated the potential barriers of reactions of chemical vapor deposition (CVD) diamond films on Si(111) substrate.
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