在众多的平坦化技术中，目前唯一能获得全局平面化效果的是化学机械平坦化（Chemical Mechanical Planarization CMP）。 随着集成电路逐渐采用小尺寸、高聚集化的多层立体布线后，光刻工艺中对解析度和焦点深度（即景深）的限制越来越高，因此对硅片...
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化学机械平坦化设备 Chemical Mechanical Planarization
目前，化学机械抛光技术(CMP)被认为是能够实现晶圆表面局部平坦化和全局平坦化的最佳方法。
At the present time, chemical mechanical planarization (CMP) is the most effective technology for global and local planarization of the wafer in IC manufacturing.
介绍了在化学机械抛光过程中，可以通过抛光头与抛光台运动速度关系优化配置，降低晶片表面不均匀度，从而更好地实现晶片局部和全局平坦化。
This paper introduces that we can reduce Within wafer nonuniformity (WIWNU) to achieve part and full planarization by distributing the speed of polishing head and polis.
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