势垒注入渡越时间二极管BARITT diodeBarrier Injection Transit Time Diode与IMPATT雪崩注入渡越时间二极管一样也是利用注入和漂移渡越这两个过程的相位延迟来实现微波振荡的但是不同的是这里利用的是p-n结势垒的注入作用其基本结构是基区穿通的晶体管型式即p-n-p结构其中p-n结用以注入载流子n区完全耗尽为漂移区所加直流偏压V的大小和方向既要能保证p-n结正偏以注入空穴又要保证n-p结反偏以使n区耗尽即应该有 VB > VFB > V > VRT 式中VRT是穿通电压VFB是平带电压VB是雪崩击穿电压BARITT二极管的直流I-V特性包括有指数段 (势垒注入区) 和线性段 (空间电荷区) 两个部分作为微波工作的器件应该是在指数段 (但要求> VRT)也因此这种二极管可用作为稳压管其高速低导通电压等性能要优于普通的稳压二极管BARITT二极管由于其势垒注入的相位延迟要小于雪崩注入的所以这种二极管的输出功率和转换效率都低于IMPATT二极管 (在10GHz时约低2个数量级)但是BARITT二极管中无雪崩倍增作用则噪音低 (要比IMPATT二极管的低两个数量级)可用作为本振信号源