reduced pressure chemical vapor deposition
reduced pressure chemical vapor deposition 减压化学汽相淀积 low-pressure chemical vapor deposition 低压化学气相沉积 ; 低压化学汽相沉积 ..
基于61个网页-相关网页
...广泛用于得到所要求的 Si 基应变，一是全局应变11-34，主要是通过 UHVCVD（超高真空化学汽相淀积）或 RPCVD（减压化学汽相淀积）方法，在大晶格常数的 SiGe 虚衬底上外延生长制备，该应变为双轴张应变，其优点是尺寸不受限制；二是局部应变35-61，在器件的沟道...
基于7个网页-相关网页
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress