光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System. 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。 Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）； 在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
重分布层的理想Line/Space分辨率为1微米/1微米，换言之，重复对准光刻机(Stepper/Scanner)必须用作光刻曝光用途。这些系统的检视范围非常小，晶圆与载具精准的对位可确保对位键都能在曝光机窗口范围内。
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投影光刻机 [电子] projection mask aligner
自动投影光刻机 automatic projection photoetching machine
接近式光刻机 proximity aligner ; aligner proximity type
离子投影光刻机 ion projection lithography machine
接触式光刻机 Contact Aligner
步进光刻机 Stepper
扫描投影式光刻机 Scanning Projection Aligner ; scan projection mask alignment system
式光刻机 immersion lithography equipment
尼康光刻机 Nikon Stepper
Stage system is a key subsystem for lithography, besides, it is the basic torealize function and precision of lithography machine.
工件台是光刻机最关键的子系统之一,也是实现光刻机功能和精度的基础。
参考来源 - 极紫外光刻机工件台精密机械及控制相关技术Dynamic properties analysis and structure optimal design about components of Lithography are the reserchful emphases in this field.
光刻机零部件动态特性及结构优化的研究是光刻机研发的重要内容之一。
参考来源 - 光刻机主基板的模态分析和优化设计The motion error chain for the wafer stepper is analyzed to develop a versatile error model.
进一步分析了光刻机的运动误差链,推导了光刻机运动通用误差模型。
参考来源 - 光刻机精密运动平台的几何及运动误差建模·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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