...面的硅材料而言， 每平方厘米有10 15 个原子，即其表面态密度为10 15 /cm 2 ，其为恒定值[2] (4) 俄歇复合(Auger Recombination)：俄歇复合过程是有电子-空穴对复合所释放出 上海交通大学硕士学位论文 – 19 – 的能量以及动量转换至第三个粒子而发生的。
基于488个网页-相关网页
Proper period thickness of InAs and GaSb was contrived to suppress the Auger recombination effectively.
设计合适的InAs和GaSb的周期厚度,以便有效地抑制俄歇复合。
参考来源 - InAs/GaSb体系非制冷红外探测材料研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
当阱宽较大时，能级填充是导致光谱红移的主要原因，俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。
But as the well width increase, level filling is the main reason for the red-shift of spectrum, Auger recombination and carrier delocalization are the main reason for lower efficiency.
它们具有很多独特的物理性质：对称的能带结构、强烈依赖于温度的带隙、一个重空穴带的缺失、低的俄歇复合率等。
They have many interesting physical properties, such as symmetric band structure, strong temperature dependences of energy gaps, absence of a heavy hole band, and low Auger recombination rates, etc.
应用推荐