侧向外延（ELOG）也是解决衬底问题的一种途径。ELOG衬底典型的方法是用MOCVD技术在C面蓝宝石上生长厚1-2µm的GaN，再在GaN上淀积一层SiO2、MOCVD外...
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或侧向外延生长 Lateral Epitaxial Growth
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同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。
At the same time, the method can avoid a craze problem caused by a thick covering layer, and increase extension plate utilization greatly combined with side extension growth.
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