二次击穿是指功率晶体管早期失效或突然损坏的重要原因，已成为影响功率晶体管安全可靠使用的重要因素。自从1957年Trornton和Simmons发现二次击穿现象以来，二次击穿一直受到十分关注。
双极型晶体管受发射极正 偏（emitter debiasing）、热梯度（thermalrunaway）以及二次击穿（secondary breakdown）的影响，尤其是工作在正向有源区的功率管，其Vee、Ic较大，必 须增加面积以提高散热性能，尽管如此一般管子的极限电流密度以及功...
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... 人生追求 pursuit of live 二次击穿 twice striking phenomena 整体感 associative perception ...
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二次倒数率 quadratic reciprocity law 二次击穿 SB ; Secondary Breakdown ; second breadown ; secondary breakdown 二次分配问题 quadratic assignment problem ..
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器件的主要失效模式是二次击穿。
概述了双极功率晶体管二次击穿机理。
Second breakdown mechanisms of bipolar power transistor is summarized.
有两个限制了晶体管的处理能力，功耗：平均交界处的温度和二次击穿。
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown.
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