王雄等人利用厚度为 40 nm 氧化锌锡(ZnSnO) 作为沟道层, 制备了底栅薄膜晶体管, 场效应迁移率达到 9.1 cm2/V·s[9].
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1．2．1锡酸锌(ZnSnO )的合成 将药品按 Na Sn(OH) ]：n(ZnO)：
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