...）180 nm步进（Core stepping）C1,D0核心代号（Processor core）Willamette功耗（Max TDP）54.7 W核心电压（VID Voltage Range）1.600V-1.75V 封装规格参数温度（TCASE）72°C封装尺寸（Package Size）53.3mm x 53.3mmProcessing Die Size217 mm2# of Processi...
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电压范围(VID Voltage Range)：0.962V1.312V； 支持(Supported Features)：Dual Core ；
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