同时现代电力电子器件工艺日臻成熟，出现了电力晶体管（GTR）门极可关断晶闸管（GTO），功率场效应晶体管（VDMOS），特别是绝缘门极晶体管（IGBT），MOS可控晶闸管（MCT）的开发成功，使PMBDCM的功率驱动电路的可靠性和稳定性得到保障，因此PMBD...
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本专利技术的技术方案如下：一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，包括：半导体材料的衬底，兼作漏区；在衬底上外延生长形成的漂移区；在所述漂移区上表面掺杂形成的左、右两处基区；在所述基区...
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同时现代电力电子器件 工艺日益成熟，出现了电力晶体管（VrR）、门极可关断晶闸管（Gm），功率 场效应晶体管（VDMOS），特别是绝缘栅门极晶体管（IGBn、MOS可控晶闸 管（MCn的开发成功，使无刷直流电动机的功率驱动电路的可靠性和稳定 性得到了保障...
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Hi-Per VDMOS 高性能场效应管
RF Power VDMOS 射频功率 ; 射频功率VDMOS晶体管
V VDMOS 设计
power VDMOS 功率VDMOS
VDMOS FET VDMOS场效应管
功率VDMOS power VDMOS
VDMOS transistor VDMOS管
power VDMOS device 功率VDMOS器件
low-voltage VDMOS 低压VDMOS
The 2-D potential model of partial buried oxide VDMOS is obtained in paper.
提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。
VDMOS is widely adopted in PDP driver , the damage resulted by secondary breakdown effect can't be ignored .
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件，由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。
In small size power VDMOS transistors, the cause of quasi-saturation effect has been investigated and simulated by software.
分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因，并对其进行了理论证明和模拟验证。
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