我们报告的铟 - 自由透明电阻开关随机接入的存储器（TRRAM）的移动设备，基于镓掺杂的氧化锌（GZO），氧化镓 - 氧化锌 - 氧化镓 - GZO结构通过有机金属化学汽相淀积生长。
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