意法半导体推出全新M系列1200V IGBT,以先进的沟槽式场截止(trench-gate field-stop)技术为特色,可最大幅度地降低电压过冲,消除关机期间常出现的振荡现象,有效提升太阳能逆变器、焊接设备、不断电系统与工业马达...
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采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)低损耗制造工艺,M系列IGBT有一个全新沟栅(trench gate)和特殊设计的P-N-P垂直结构,可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平...
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