这样就不必再采用会增加热阻的热介层(thermal interface stacking)，同时也保证了在大功率应用的IGBT基板与连接的陶瓷衬底相兼容。AlSiC成形工艺还允许制造出前面所讨论的净成形几何图形。
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thermal interface stacking
热界面叠加
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