的文学反映以前的工作，香甜演示薄膜硅上的绝缘体（TFSOI）的优点，如微控制器的CPU，SRAM，DRAM和ALU的（Huang等，1997）在低功耗的数字基带电路的。
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分别介绍采用薄膜绝缘体上硅(TFSOI)的0.5μmCMOS工艺的设计和制造,全耗散SOI的可制造性,采用高架源/漏结构的高性能亚微米SOI/CMOS,具有亚10nm总厚度变化(TTV)的采用...
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