...和二氧化矽介电层演化到铜导线和低介电材料制程时，由 于铜金属的不易蚀刻性，使得制程技术将由过去的金属蚀刻(Subtractive Etch)演变为蚀刻介 电层的铜双崁入式(Dual Damascene)制程。
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subtractive etch
减去的腐蚀
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