一家专精“自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory, STT-RAM)的美国硅谷新创公司Grandis日前发表了更..
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为了解决这两个问题,目前采用的技术路线是使用基于自旋力矩转移的磁阻变随机存储器(STT-RAM),即利用自旋电流直接对存储单元中的磁自由层的磁化矢量方向进行调控从而完成状态写入,而并不需要借助安培电流产生的磁场作为间...
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...成长取代NAND技能,其中包含相变内存(Phase-Change RAM,PRAM)、旋转力矩转移随机存取记忆体(Spin Torque Transfer RAM,STT-RAM)以及惠普自主研发的记忆电阻器(memristor)技能。
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...成长取代NAND技能,其中包含相变内存(Phase-Change RAM,PRAM)、旋转力矩转移随机存取记忆体(Spin Torque Transfer RAM,STT-RAM)以及惠普自主研发的记忆电阻器(memristor)技能。
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