...流（output current），10、15、25、40、60、80a，瞬态电压（transient voltage），24、600vac，通态压降（state voltage drop），＜3vac，介质耐压（dierol），2w470-560kω电位器调整（potentiometer adjustment），负载电压（load voltage），220vac，调压...
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on-state peak voltage drop 通态峰值压降
state voltage drop
状态电压降
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Simulation results show that the total amount of impurity in the buffer layer or transparent an - ode is the key to determine the on-state voltage drop of GCT device.
模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素。
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