根据开关晶体管和存储电容器的整体器件结构以及制程工艺，可将DRAM分为两大类：叠层电容器（stack capacitor）和深漕电容器（trench capacitor），前者将电容器制作于硅基片之上，而后者则将电容器通过深漕工艺埋入硅基片内。
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目前，奇梦达与尔必达正联手研发根据前者的埋入式闸极字符线连结 (buried wordline)与后者的堆栈式电容 (stack capacitor)技术的内存 ..
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capacitor stack [电] 电容器叠柱
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