... sputtering target 溅射靶 sputtering yield 溅射效率 square law capacitor 平方律可变电容器直线波长式可变电容器 ...
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...子对金属靶材进行轰击并产生靶材原子时, 每个离子由于轰击而产生的靶材原子的数量的比值, 被称为“溅射产额(Sputtering Yield) ”, 通常是以 S来表示。 根据对公式 1-2 的修正, 我们可以将溅射产额的数值, 以公式 1-3 来表示。
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...射原子吸附,则残余的反应气体将撞击靶面而在靶面发生反应形成 化合物,一旦靶材化合物形成后,则将造成溅射率(Sputtering yield)的降低。所以, 在低反应气体压力下有较高的沉积速率。
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The reasons were the insufficient La content of the target and the low sputtering yield of La.
造成这种现象的原因为:(1)靶材中La成分不足;(2)La的溅射产额低。
参考来源 - 磁控溅射法制备磷灰石型硅酸镧中低温SOFCs电解质薄膜·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
The sputtering yield per cluster ion is higher than that for monomer ion by a factor of more than 100.
离化团束的溅射产额比之单体离子束高100倍以上。
When the incident energy is higher than the threshold energy, however, the sputtering yield increases with the increase of the incident energy.
当入射原子的能量大于溅射阈值时,溅射产额随入射原子能量的增加而线性增大;
The higher sputtering yield would result from multiple collision, lateral sputtering and high density energy deposition of gas cluster ion beam.
气体离化团束的高溅射产额可能是由于多体碰撞、侧向溅射及高能量密度的照射引起的。
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