...出直径几十纳米到几百纳米的纳米线),可以用于白旋场效应三极管(spin-FET),白旋发光二极管(spin-LED),白旋共振隧穿器件(spin-RTD)等纳米白旋电子器件的制造,具有广阔的应用前景。专利申请号为：200710121747.2
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