...O_2栅介质电学性质和可靠性的影响;分析了HfO_2栅介质中的漏电流机制和应力感应的漏电流(Stress-induced leakage current,SILC)效应以及工艺条件的影响;同时还利用反应溅射方法制备了氮化的HfO_2(HfO_xN_y)栅介质薄膜,...
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在低的电场下,并没有严重的应力所导致的 漏电流 ( SILC )即使在经过了104秒的作用时间。在高电场作用时,在应力作用时会产生电子陷入的情形,特别是在高电场的区域所导致的电流减小时,...
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It also can be found that area dependence of SILC effects is very small.
同时研究表明面积对SILC效应的影响很小。
Single-site robotic cholecystectomy (SSRC) overcomes several limitations of manual SILC.
单点机器人胆囊切除术(SSRC)克服了人工SILC一些局限性。
The generation mechanism of stress induced leakage current (SILC) in flash memory cell is studied by experiments.
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(ILC)产生机理。
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