硅伪异质结双极晶体管（HBT）与超过100的电流增益，在77 K已成功制作中，使用自对准侧壁基 接触结构 （ SICOS ）的向上操作。
基于16个网页-相关网页
本文参考的宽度之间的基极多晶硅，单晶硅，这是一个特征性的结构参数用于侧壁的基极接触的结构（SICOS）的侧壁接触。此外，其效果对晶体管特性和ECL电路的特性进行检测。
基于1个网页-相关网页
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动